By this author

Phase Equilibria in the Al–Ga–As–Bi System at 900°C

Issue number 7 from 01.07.2023

Для начальной температуры эпитаксии 900°C, которая необходима для выращивания относительно толстых градиентных слоев Al_xGa_1–xAs (50–100 мкм), были смоделированы изотермы солидусa и ликвидусa в системе Al–Ga–As–Bi. Теоретические изотермы подтверждены экспериментальными данными. Обнаружено, что для выращивания толстых (более 50 мкм) слоев AlGaAs целесообразно использовать смешанныe Ga–Bi-расплавы с содержанием висмута не более 20 ат. %.

25 0