Статьи автора

Адгезионная прочность границы твердых фаз в системе стекло Ga_<i>x</i>Ge_{40–<i>x</i>}S₆₀–кварцевое стекло

Номер выпуска 2 от 14.09.2025

Методом нормального отрыва исследована прочность адгезионного контакта в системе стекло Ga_xGe_40–xS₆₀–кварцевое стекло в зависимости от температуры формирования контакта, температуры отрыва и состава халькогенидного стекла. Добавление 1 ат. % галлия в состав стекла существенно снижает адгезию. Дальнейшее увеличение содержания галлия до 8 ат. % приводит к незначительному уменьшению адгезии. Наблюдаемые закономерности объяснены частичной кристаллизацией стекол при нагревании для формирования адгезионного контакта и последующем охлаждении до температуры отрыва. Сформулированы рекомендации по условиям отделения стекол Ga_xGe_40–xS₆₀ от стенок кварцевого реактора.

0

Двухслойные световоды на основе высокочистых халькогенидных стекол, легированных редкими землями, как источники ИК-излучения

Номер выпуска 6 от 14.09.2025

Представлены результаты исследований двухслойных световодов на основе легированных ионами редких земель многокомпонентных халькогенидных стекол систем Ge–Ga(In)–As(Sb)–Se. Оптические, эмиссионные и лазерные характеристики световодов в ИК-диапазоне демонстрируют преимущества материалов перед зарубежными аналогами вследствие низкого содержания лимитируемых примесей.

0

Термические свойства особо чистых стекол Ga15Ge10Te75–xIx

Номер выпуска 4 от 14.09.2025

Получены образцы особо чистых стекол Ga₁₅Ge₁₀Te_75–xI_x (x = 0–6 ат. %) с содержанием 31 примесного элемента не более 0.2 ppm. Установлено влияние йода на характеристические температуры, кристаллизационную устойчивость, термическое расширение и плотность стекол. Полученные результаты интерпретированы в рамках структурно-связевого подхода. Разработана методика обработки данных динамической дилатометрии для определения температурной зависимости теплового коэффициента линейного расширения (ТКЛР). Определена температурная зависимость ТКЛР стекол Ga₁₅Ge₁₀Te_75–xI_x в интервале от 293 до 412 К.

1 0

Синтез ZnGa₂Se₄ взаимодействием GaI₃ и ZnI₂ с селеном

Номер выпуска 6 от 14.09.2025

Проведено термодинамическое моделирование систем GaI₃–Se и ZnI₂–Se методом констант равновесия в температурном интервале 200–500°С. Показано, что равновесная степень превращения йодидов в Ga₂Se₃ и ZnSe составляет 21 и 0.7٪ соответственно. Основным компонентом паровой фазы в обеих системах является молекулярный йод. Разработан способ получения Ga₂Se₃, ZnSe, ZnGa₂Se₄ взаимодействием GaI₃ и ZnI₂ с селеном в вакуумированном кварцевом реакторе с двумя температурными зонами. Селективное выведение йода из реакционного расплава позволило достичь практического выхода селенидов на уровне 86–90٪ при температуре 450°С. Остаточное содержание йода в полученных соединениях составило 0.2–1 ат.%.

0