Статьи автора

Морфология поверхности, кристаллическое совершенство и электрофизические параметры гетероструктур CdHgTe/CdZnTe, выращенных MOCVD-методом

от 01.01.2025

Исследовано влияние режимов подготовки подложек Cd_0.96Zn_0.04Te(211)B и условий осаждения методом MOCVD слоев Cd_xHg_1-xTeна морфологию поверхности, кристаллическое совершенство и электрофизические свойства гетероструктур. Показано, что морфология, ростовые дефекты поверхности и кристаллическое совершенство слоев в значительной степени зависят от качества подготовки подложек, а электрофизические параметры слоев КРТ — от чистоты монокристаллов, из которых изготовлены подложки. Путем отбора подложек получены слои КРТ (х~0.3)cконцентрациейи подвижностью основных носителей зарядар_77К = (5–30) × 10¹⁵см⁻³и µ_77К=200–400 см²/(В с) соответственно.

24 0

МОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ, КРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ СОВЕРШЕНСТВО И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЕТЕРОСТРУКТУР CdHgTe/CdZnTe, ВЫРАЩЕННЫХ MOCVD-МЕТОДОМ

Номер выпуска 1-2 от 01.01.2025

Исследовано влияние режимов подготовки подложек CdZnTe(211)B и условий осаждения методом MOCVD слоев CdHgTe на морфологию поверхности, кристаллическое совершенство и электрофизические свойства гетероструктур. Показано, что морфология, ростовые дефекты поверхности и кристаллическое совершенство слоев в значительной степени зависят от качества подготовки подложек, а электрофизические параметры слоев КРТ - от чистоты монокристаллов, из которых изготовлены подложки. Путем отбора подложек получены слои КРТ (х~0.3) c концентрацией и подвижностью основных носителей заряда р = (5-30) × 10 см и µ=200-400 см/(В с) соответственно.

4 0