- Код статьи
- S30345588S0002337X25010039-1
- DOI
- 10.7868/S3034558825010039
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 61 / Номер выпуска 1-2
- Страницы
- 26-32
- Аннотация
- Исследовано влияние режимов подготовки подложек CdZnTe(211)B и условий осаждения методом MOCVD слоев CdHgTe на морфологию поверхности, кристаллическое совершенство и электрофизические свойства гетероструктур. Показано, что морфология, ростовые дефекты поверхности и кристаллическое совершенство слоев в значительной степени зависят от качества подготовки подложек, а электрофизические параметры слоев КРТ - от чистоты монокристаллов, из которых изготовлены подложки. Путем отбора подложек получены слои КРТ (х~0.3) c концентрацией и подвижностью основных носителей заряда р = (5-30) × 10 см и µ=200-400 см/(В с) соответственно.
- Ключевые слова
- структуры CdHgTe/CdZnTe(211)B MOCVD морфология поверхности кристаллическое совершенство электрофизические параметры
- Дата публикации
- 01.01.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 5
Библиография
- 1. Mercury cadmium telluride. Growth, properties and applications / Eds. Capper P., Garland J. N.Y.: Wiley, 2011. 564 р.
- 2. Lei W., Antoszewski J., Faraone L. Progress, challenges, and opportunities for HgCdTe infrared materials and detectors // Appl. Phys. Rev. 2015. V. 2. Р. 041303-1-041303-34.
- 3. Dvoretsky S.A., Vasiliev V.V., Sidorov G.Y., Gorshkov D.V. HgCdTe device technology // Handbook of II-VI semiconductor-based sensors and radiation detectors / Ed. Korotcenkov G. V. 1. Materials and Technology. Ch. 15. Berlin: Springer, 2023. P. 423-463. https://doi.org/10.1007/978-3-031-19531-0
- 4. Baker I., Hipwood L., Maxey C., Weller H., Thorne P. High-performance, low-cost IR detector technology // SPIE Newsroom. 2012. https://doi.org/10.1117/2.1201211.004557
- 5. Madejczyk P., Gawron W., Keblowski A., Mlynarczyk K., Stepien D. et al. Higher operating temperature IR detectors on the MOCVD grown HgCdTe heterostructures // J. Electron. Mater. 2020. V. 49. № 11. P. 6908-6916.
- 6. Bevan M.J., Doyle N.J., Temofonte T.A. Organometallic vapor-phase epitaxy of Hg1-xCdxTe on {211}-oriented substrates // J. Appl. Phys. 1992.V. 71(1). P. 204-210.
- 7. Mitra P., Tyan Y.L., Case F.C. et al. Improved arsenic doping in metalorganic chemical vapor deposition of HgCdTe and in situ growth of high performance long wavelength infrared photodiodes // J. Electron. Mater. 1996. V. 25. № 8. P. 1328-1335.
- 8. Mitra P., Barnes S.L., Case F.C. et al. MOCVD of bandgap-engineered HgCdTe p-n-N-P dual-band infrared detector arrays // J. Electron. Mater. 1997. V. 26. № 6. P. 482-487.
- 9. Mitra P., Case F.C., Reine M.B. et al. MOVPE growth of HgCdTe for high performance 3-5 µm photodiodes operating at 100-180 K // J. Electron. Mater. 1999. V. 28. № 6. P. 589-595.
- 10. Mitra P., Case F.C., Reine M.B. Progress in MOVPE of HgCdTe for advanced infrared detectors // J. Electron. Mater. 1998. V. 27. № 6. P. 510-520.
- 11. Mitra P., Case F.C., Glass H.L. et al. HgCdTe growth on (522) oriented CdZnTe by metalorganic vapor phase epitaxy // J. Electron. Mater. 2001. V. 30. № 6. P. 779-784.
- 12. Yuan W., Zhang C., Liang H., Wang X., Shangguan M. et al. Investigating the influence of CdZnTe and HgCdTe material quality on detector image performance // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2021. V. 32. P. 13177-13186.
- 13. Qin G., Kong J.C., Yang J., Ren Y., Li Y.H. et al. HgCdTe films grown by MBE on CZT(211)B substrates // J. Electron. Mater. 2023. V. 52. P. 2441-2448.
- 14. Котков А.П., Гришнова Н.Д., Моисеев А.Н. и др. Получение двухслойных эпитаксиальных структур на основе твердого раствора системы Cd-Hg- Te комбинацией методов ЖФЭ и MOCVD // Неорган. материалы. 2008.Т. 44. № 12. С. 1446-1452.
- 15. Котков А.П., Гришнова Н.Д., Моисеев А.Н. и др. Выращивание эпитаксиальных слоев КРТ методом химического осаждения из паров металлорганических соединений и ртути на подложках CdZnTe // Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение // Тез. докл. ХIII конф. Н. Новгород: Николаев Ю.А., 2007. С. 240-241.
- 16. Чилясов А.В., Моисеев А.Н., Степанов Б.С. и др. Выращивание эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe на подложках GaAs большого диаметра химическим осаждением из паров МОС и ртути // Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1. № 2. С. 209-215.
- 17. Tower J.P., Tobin S.P., Norton P.W. et al. Trace copper measurements and electrical effects in LPE HgCdTe // J. Electron. Mater. 1996. V. 25. № 8. P. 1183-1187.
- 18. Bubulac L.O., Tennant W.E., Riedel R.A. et al. Some aspects of Li behavior in ion implanted HgCdTe // J. Vac. Sci. Technol. 1983. V. A1. P. 1646-1650.
- 19. Benson J.D., Bubulac L.O., Jacobs R.N., Wang A., Arias J.M. et al. Defects and the formation of impurity ‘hot spots’ in HgCdTe/CdZnTe // J. Electron. Mater. 2019. V. 48. № 10. P. 6194-6202.
