- PII
- 10.31857/S0002337X23110039-1
- DOI
- 10.31857/S0002337X23110039
- Publication type
- Status
- Published
- Authors
- Volume/ Edition
- Volume 59 / Issue number 11
- Pages
- 1283-1291
- Abstract
- Впервые найдено, что выходное напряжение, координатная и спектральная чувствительность фотоприемного элемента, изготовленного на основе высокоомных светочувствительных слоев CdSe, уменьшаются по гиперболическому закону при увеличении толщины слоев в пределах 6–60 мкм и линейно возрастают при увеличении входного электрического тока. Установленные в работе высокие значения координатной и спектральной чувствительности (70.8 мВ/(мм мкА мВт) и 375 мВ/(мкА мВт) соответственно), которые существенно превышают аналогичные характеристики слоев теллурида кадмия, свидетельствуют о перспективности использования высокоомных слоев CdSe в качестве материала для позиционно-чувствительных фотоприемников.
- Keywords
- Date of publication
- 14.09.2025
- Year of publication
- 2025
- Number of purchasers
- 0
- Views
- 4
References
- 1. Сенокосов Э.А., Чукита В.И., Хамидуллин Р.А. и др. Исследование характеристик позиционной чувствительности эпитаксиальных слоев n-СdSe, выращенных в квазизамкнутом объеме на кристаллах слюды // Неорган. материалы. 2016. Т. 52. № 8. С. 822–825. https://doi.org/10.7868/S0002337X16080157
- 2. Сенокосов Э.А., Чукита В.И., Хамидуллин Р.А. и др. Экспериментальное и теоретическое исследования характеристик позиционно-чувствительных фотоприемников на основе эпитаксиальных слоев n-CdSe/слюда // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 5. С. 689–694. https://doi.org/10.21883/FTP2017.05.44430.8406
- 3. Fortunato E., Ferreira I., Giuliani F. et al. Flexible Large Area Thin Film Position Sensitive Detectors // Sens. Actuators. 2000. V. 86. P. 182–186.
- 4. Andersson H.A., Bertilsson K., Thungström G., Nilsson H.-E. Processing and Characterization of a MOS-Type Tetra Lateral Position Sensitive Detector with Indium Tin Oxide Gate Contact // IEEE Sens. J. 2008. V. 8. № 10. P. 1704–1709.
- 5. Гурин Н.Т., Новиков С.Г., Корнеев И.В. и др. Позиционно-чувствительный фотоприемник для фотоэлектрических преобразователей углов поворота // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 6. С. 57–62.
- 6. Рахимов Н.Р., Минин О.В., Минин И.В., Алижанов Д.Д. Особенности получения координатно-чувствительного приемника оптического излучения на основе полупроводниковых пленок с аномальным фотонапряжением // Автоматика и программная инженерия. 2012. № 2. С. 41–46.
- 7. Клюканов А.А., Сенокосов Э.А., Сорочан В.В., Цирулик Л.Д. Двукоординатные фотодатчики на основе однородных проводящих полупроводниковых пленок // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 5. С. 123–125.
- 8. Клюканов А.А., Сенокосов Э.А., Богинский Д.Е. и др. Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2003. № 1. С. 49–51.
- 9. Cенокосов Э.А., Сорочан В.В. Характеристики позиционно-чувствительных фотоприемников на основе слоев n-СdTe:In // Прикладная физика. 2006. № 2. С. 77–80.
- 10. Cенокосов Э.А., Сорочан В.В. Координатно-чувствительные фотоприемники на основе полупроводниковых слоев n-СdTe:In // Вестн. Мордовского ун-та. 2007. № 3. С. 103–109.
- 11. Nasir E.M., Al-Lamy H.K., Abdul-Ameer H.J. Optical Properties of CdSe Films at Different Thickness and Annealing Temperature // Chalcogen. Lett. 2019. V. 16. P. 485–497.
- 12. Mahato S., Kar A.K. The Effect of Annealing on Structural, Optical and Photosensitive Properties of Electrodeposited Cadmium Selenide Thin Films // J. Sci.: Adv. Mater. Devices. 2017. V. 2. P. 165–171.
- 13. Shelke N.T., Karle S.C., Karche B.R. Photoresponce Properties of CdSe Thin Film Photodetector // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2020. V. 31. P. 15061–15069.
- 14. Olgar M.A., Başol B.M., Polat İ. et al. Photodetector Properties of CdSe Thin Films Grown by Close Space Sublimation Method // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2023. V. 34. P. 1749–1757.
- 15. Сенокосов Э.А., Чукита В.И., Жданов А.А. Управление технологией выращивания в квазизамкнутом объеме кристаллически совершенных полупроводниковых слоев // Вестн. Приднестровского ун-та. Сер.: Физ.-мат. науки. 2018. № 3. С. 16–19.
- 16. Чукита В.И., Сенокосов Э.А., Суринов В.Г. и др. Спектры экситонной люминесценции и электрофизические характеристики фоточувствительных слоев CdSe, выращенных на слюде в квазизамкнутом объеме // Неорган. материалы. 2021. Т. 57. № 7. С. 700–704. https://doi.org/1031857/S002337X21070034
- 17. Сенокосов Э.А., Чукита В.И. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев CdSe, выращенных методом термического напыления в квазизамкнутом объеме на кристаллах (0001) слюды // Вестн. Приднестровского ун-та. Сер.: Физ.-мат. науки. 2016. № 3. С. 36–43.
