- Код статьи
- 10.31857/S0002337X23010025-1
- DOI
- 10.31857/S0002337X23010025
- Тип публикации
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 59 / Номер выпуска 1
- Страницы
- 10-13
- Аннотация
- Кинетика кристаллизации аморфных пленок TlIn1–хSnxSе2 толщиной 30 нм, полученных в высоком вакууме термическим осаждением, в постоянном электрическом поле напряженностью Е = 3000 В/см, исследовалась методом кинематической электронографии. Показано, что формирование кристаллической структуры при термообработке аморфных пленок происходит по закономерностям, установленным Авраами–Колмогоровым. По кинетическим кривым фазового превращения прослеживается влияние электрического поля на увеличение диапазона температур кристаллизации пленок, а также на значения энергий активации зародышеобразования и дальнейшего роста кристаллов. Величина суммарной энергии активации процесса кристаллизации оказалась равной Еобщ = 44.92 ккал/моль. Дифракционные линии от поликристаллической пленки TlIn0.93Sn0.07Sе2 на кинематической электронограмме индицируются на основе параметров тетрагональной ячейки а = b = 0.8358, с = 0.7086 нм, соответствующих пр. гр. \( D_{{4h}}^{{18}} \)–I4/mcm. При нахождении пленок в вакууме при комнатной температуре более двух месяцев не обнаружено изменений ни в их качестве, ни в дифракционной картине.
- Ключевые слова
- твердые растворы полупроводник дифракция аморфная пленка электронограмма
- Дата публикации
- 14.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 3
Библиография
- 1. Nowosielski R., Zajdel A., Lesz S., Kostrubiec B., Stokłosa Z. Crystallization of Amorphous Co77Si11.5B11.5Alloy // Arch. Mater. Sci. Eng. 2007. V. 28. № 3. P. 141–148.
- 2. Пашаев А.М., Джафаров Т.Д. Физические основы наноэлектроники. Баку. 2014. 88 с.
- 3. Kavetskyy T.S., Shpotyuk O.I., Boyko V.T. Void-species Nanostructure of Chalcogenide Glasses Studied with FSDP-related XRD // J. Phys. Chem. Solids. 2007. V. 68. № 5–6. P. 712–715.
- 4. Филачев А.М., Таубкин И.И., Тришенков М.А. Твердотельная фотоэлектроника. М.: Физматкнига, 2012. 363 с.
- 5. Sanghera J.S., Florea C.M., Shaw L.B., Pureza P. et al. Non-Linear Properties of Chalcogenide Glasses and Fibers// J. Non-Cryst. Solids. 2008. V. 354. № 2–9. P. 462–467.
- 6. Kovanda V., Mir Vicek, Jain H. Stmcture of As–Se and As–P–Se Glasses Studied by Raman Spectroscopy // J. Non-Cryst. Solids. 2003. V. 326–327. P. 88–92.
- 7. Сардарлы Р.М., Самедов О.А., Алиева Н.А., Гусейнов Э.К. и др. Проводимость по локализованным состояниям системы твердых растворов (TlInSe2)1–x(TlGaTe2)x // ФТП. 2015. Т. 49. B. № 12. С. 1704–1709.
- 8. Ismailov D.I., Aliyeva M.F., Alekperov E.Sh., Aliyev F.I. Electron Diffraction Investigation of Structural Diversity of Amorphous Films of Polymorphic TlInS2 // Semiconductors. 2003. V. 37. P. 744–747.
- 9. Авилов А.С. Прецизионная электронография: Дис. ... докт. физ.-мат. наук: 01.04.18. М., 1999. 274 с.
- 10. Кулыгин А.К., Кулыгин К.В., Авилов А.С. Новые подходы к прецизионным измерениям дифракционных картин в электронографии // Кристаллография. 2020. Т. 65. № 2. С. 325–334. https://doi.org/10.31857/S0023476120020149
- 11. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987. 431 с.
- 12. Panaxov M.M., Alekperov E.Sh., Qarayev E.S., Sadraddinov S.A. et al. Phase Transition at Thermal Treatment of TlIn1–xSnxSe2 Amorphous Films // AIP Fizika. 2020. V. 26. № 4. P. 28–31.
- 13. Чопра К. Электрические явления в тонких пленках. М.: Мир, 1992. 435 с.
