- PII
- S30345588S0002337X25030014-1
- DOI
- 10.7868/S3034558825030014
- Publication type
- Article
- Status
- Published
- Authors
- Volume/ Edition
- Volume 61 / Issue number 5–6
- Pages
- 269-274
- Abstract
- Электросопротивление и поперечное магнетосопротивление (МС) монокристалла n-CdAs измерялись при давлении до 50 ГПа и комнатной температуре. С увеличением давления увеличивается отрицательное баросопротивление, возрастающее с магнитным полем и достигающее максимума в 8% при 1 Тл. Обнаружен резкий рост отрицательного МС в области давлений, предшествующих структурным изменениям. Измеренные свойства позволили впервые идентифицировать новый структурный фазовый переход I рода, наблюдающийся в окрестности 35 ГПа при компрессии и в области 20 ГПа при декомпрессии. Барический гистерезис шириной 15 ГПа свидетельствует о наличии метастабильной высокобарической фазы и сосуществовании низко- и высокобарической фаз в широком интервале давлений.
- Keywords
- Date of publication
- 01.05.2025
- Year of publication
- 2025
- Number of purchasers
- 0
- Views
- 6
References
- 1. Маренкин С.Ф., Трухан В.М. Фосфиды, арсениды цинка и кадмия. Минск: Вараскин А.Н., 2010. 224 с.
- 2. Turner W.J., Fischler A.S., Reese W.E. Physical Properties of Several II–V Semiconductors // Phys. Rev. 1961. V. 121. № 3. P. 759–767.
- 3. Маренкин С.Ф., В.А. Морозова В.А., Кошелев О.Г. Структурные дефекты и параметры зонной структуры монокристаллов CdAs2, ZnAs2, Cd1–xZnxAs2, Zn 1–xCdxAs2 // Неорган. материалы. 2010. Т. 46. № 9. С. 1114–1120.
- 4. Okamoto H. The As-Zn (arsenic-zinc) system // J. Phase Equilib. 1992. V. 13. № 2. P. 155–161.
- 5. Тонков Е.Ю. Фазовые диаграммы элементов при высоком давлении. М.: Наука, Физматлит, 1979. 464 с.
- 6. Моллаев А.Ю., Сайпулаева Л.А., Арсланов Р.К., Маренкин С.Ф. Влияние гидростатического сжатия на электрофизические свойства монокристаллического диарсенида кадмия // Неорган. материалы. 2001. Т. 37. № 4. С. 405–408.
- 7. Mollaev A. Yu., Saypulaeva L.A., Arslanov R.K., Gabibov S.F., Marenkin S.F. Electrophysical Properties of ZnAs2 and CdAs2 at Hydrostatic Pressure up to 9 GPa // High Pressure Res J. 2002. V. 22. № 1. P. 181–184.
- 8. Моллаев А.Ю., Сайпулаева Л.А., Арсланов Р.К., Габибов С.Ф., Маренкин С.Ф., Вольфкович А.Ю. Удельное электросопротивление и эффект Холла диарсенида цинка при гидростатическом давлении до 9 ГПа // Неорган. материалы. 2002. Т. 38. № 3. С. 263–264.
- 9. Моллаев А.Ю., Сайпулаева Л.А., Алибеков А.Г., Маренкин С.Ф., Бабушкин А.Н. Фазовые превращения в полупроводниках AIIBV при высоком давлении // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. Вып. 6. С. 730–734.
- 10. Маренкин С.Ф., Раухман А.М., Маймасов А.Б., Попов В.А. Особенности выращивания монокристаллов CdAs 2 по методу Бриджмена // Неорган. материалы. 1997. Т. 33. № 12. С. 1439–1447.
- 11. Vereschagin L.F., Yakovlev E.N., Vinogradov B.V., Stepanov G.N., Bibaev K. Kh., Alaeva T.J., Sakun V.P. Megabar Pressure Between Anvils // High Temp., High Pressures. 1974. V. 6. P. 99–505.
- 12. Babushkin A.N., Pilipenko G.I., Gavrilov F.F. The Electrical Conductivity and Thermal Electromotive Force of Lithium Hydride and Lithium Deuteride at 20–50 GPa // J. Phys.: Condens. Matter. 1993. V. 5. P. 8659–8664.
- 13. Сайпулаева Л.А., Абдулвагидов Ш.Б., Тебеньков А.В., Маренкин С.Ф. Структурные фазовые превращения в n-CdAs 2, индуцированные давлением: рентгеновские и электрофизические свойства // Физика и техника высоких давлений. 2024. Т. 34. № 4. С. 62–73.
- 14. Żdanowicz E., Portal J.C., Wojciechowski W., Sokolovskii V.A. Proc. 16th School on Physics of Semiconducting Compounds // Acta Phys. Pol. A. 1988. V. 73. P. 3
- 15. Kawabata A. Theory of Negative Magnetoresistance I. Application to Heavily Doped Semiconductors // J. Phys. Soc. Jpn. 1980. V. 49. P. 628–637.
- 16. Oubraham A., Biskupski G., Zdanowicz E. Negative Magnetoresistance of n-type Compensated Cadmium Arsenide (CdAs2) in the Temperature Range 1.1 K — 4.2 K // Solid State Commun. 1991. V. 77. № 5. P. 351–354.
- 17. Toyozawa Y. Theory of Localized Spins and Negative Magnetoresistance in the Metallic Impurity Conduction // J. Phys. Jpn. 1962. V. 17. № 6. P. 986–1004.
- 18. Al’tshuler B.L., Aronov A.G., Khmel’nitskii D.E. Negative Magnetoresistance in Semiconductors in the Hopping Conduction Region // JETP Lett. 1982. V. 36. № 5. P. 195–198.
- 19. Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977. 615 с.
- 20. Berkowitz A.E., Mitchell J.R., Carey M.J., Young A.P., Zhang S., Spada F.E., Parker F.T., Hutten A., Thomas G. Giant Magnetoresistance in Heterogeneous Cu-Co alloys // Phys. Rev. Lett. 1992. V. 68. P. 3745–3748.
- 21. Fratila L., Maurin I., Dubourdieu C., Villégier J.C. Spin-polarized Quasiparticles Injection in La0.7Sr0.3MnO3 / SrTiO3 / Nb heterostructure devices // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. № 12. 122505.
- 22. Soulen R.J., Byers J.M., Osofsky M.S., Nadgorny B., Ambrose T., Cheng S.F., Broussard P.R., Tanaka C.T., Nowak J., Moodera J.S., Barry A., Coey J.M. Measuring the Spin Polarization of a Metal with a Superconducting Point Contact // Science. 1998. V. 282. P. 85–88.
- 23. Сайпулаева Л.А., Риль А.И., Маренкин С.Ф., Абдулвагидов Ш.Б., Залибеков У.З. Влияние высокого давления на кинетические характеристики гетерогенного сплава Cd3As2(MnAs)0.03 // ФТТ. 2024. Т. 66. № 5. С. 699–702.
