Из температурных зависимостей параметров кристаллической решетки монокристаллов AgInSe2 определены значения коэффициентов температурного расширения вдоль кристаллографических направлений а и с. Установлено, что значения коэффициентов термического расширения монокристаллов AgInSe2 вдоль направлений а и с меняют свой знак при температурах 142 и 135 K соответственно. Анализ температурной зависимости изменения ширины запрещенной зоны AgInSe2, проведенный по спектрам оптического поглощения, показывает, что ширина запрещенной зоны увеличивается с ростом температуры в области 80–120 К и уменьшается в области 120–300 K.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation