В работе обсуждаются закономерности ИК-люминесценции для коллоидных квантовых точек PbS со средним размером 3 нм, покрытых молекулами тиогликолевой кислоты (КТ PbS/TGA). Обнаружено, что обработка КТ PbS/TGA раствором KI приводит к коротковолновому смещению максимума сложной полосы люминесценции при 1120 нм к 1060 нм, увеличению квантового выхода ее коротковолновой компоненты, связанной с экситонным свечением с 1 до 10% и тушению длинноволновой компоненты, связанной с излучательной рекомбинацией на уровнях дефектов. При этом кубическая кристаллическая структура PbS не претерпевает изменений. Установлено также незначительное уменьшение среднего размера КТ PbS/TGA – на 0.2–0.3 нм. Сделан вывод о том, что рост квантового выхода экситонного свечения КТ PbS/TGA при воздействии KI обусловлен более эффективной пассивацией интерфейсных дефектов, являющихся каналами как рекомбинационной люминесценции, так и безызлучательной рекомбинации носителей заряда. Методом термостимулированной люминесценции в диапазоне температур от 80 до 350 K показано существование двух типов мелких локализованных состояний с глубинами 0.17 и 0.25 эВ, концентрация которых слабо чувствительна к обработке КТ PbS/TGA раствором KI. Предполагается, что часть регистрируемых ловушек обусловлена не оборванными связями поверхностных атомов свинца и серы, а собственными дефектами нанокристалла – межузельными ионами свинца или серы.
Разработана методика получения, исследованы структурные и электрофизические свойства сэндвич-структур типа электрод из оксида индия-олова (ITO) – конденсат коллоидных квантовых точек (КТ) PbS–Al-электрод (ITO – КТ PbS – Al). Отличительной особенностью используемых коллоидных КТ PbS является их синтез в воде с применением короткоцепочечного лиганда – молекулы тиогликолевой кислоты (TGA). Такой подход сразу обеспечивает создание проводящей пленки КТ без трудоемкой процедуры замены лиганда. Обнаружено, что обработка КТ PbS в растворе йодидом калия приводит к формированию фрагментов конденсатов в виде упорядоченных сверхрешеток. Показано, что проводимость сэндвич-структуры ITO – КТ PbS–Al преимущественно определяется барьером Шоттки, возникающим на границе пленка КТ PbS/Al-электрод. Вольт-амперная характеристика проанализирована с использованием уравнения Шокли для идеального диода. Обнаружено, что обработка КТ PbS в растворе йодидом калия приводит к улучшению параметра идеальности диода. Сделано заключение, что сэндвич-структуры ITO–КТ PbS–Al-электрод потенциально могут быть использованы как основа для ИК-фотодетекторов на основе КТ.
Разработана методика получения, исследованы структурные и электрофизические свойства сэндвич-структур типа электрод из оксида индия-олова (IТО) – конденсат коллоидных квантовых точек (КТ) PbS–Al–электрод (IТО – КТ PbS – Al). Отличительной особенностью используемых коллоидных КТ PbS является их синтез в воде с применением короткоцепоченного лиганда – молекулы тиогликолевой кислоты (TGА). Такой подход сразу обеспечивает создание проводящей пленки КТ без трудоемкой процедуры замены лиганда. Обнаружено, что обработка КТ PbS в растворе йодидом калия приводит к формированию фрагментов конденсатов в виде упорядоченных сверхрешеток. Показано, что проводимость сэндвич-структуры IТО – КТ PbS–Al преимущественно определяется барьером Шоттки, возникающим на границе пленка КТ PbS/Al–электрод. Вольт-амперная характеристика проанализирована с использованием уравнения Шокли для идеального диода. Обнаружено, что обработка КТ PbS в растворе йодидом калия приводит к улучшению параметра идеальности диода. Сделано заключение, что сэндвич-структуры IТО–КТ PbS–Al–электрод потенциально могут быть использованы как основа для ИК-фотодетекторов на основе КТ.
Разработана методика получения, исследованы структурные и электрофизические свойства сэндвич-структур типа электрод из оксида индия-олова (ITO) – конденсат коллоидных квантовых точек (КТ) PbS–Al-электрод (ITO – КТ PbS – Al). Отличительной особенностью используемых коллоидных КТ PbS является их синтез в воде с применением короткоцепочечного лиганда – молекулы тиогликолевой кислоты (TGA). Такой подход сразу обеспечивает создание проводящей пленки КТ без трудоемкой процедуры замены лиганда. Обнаружено, что обработка КТ PbS в растворе йодидом калия приводит к формированию фрагментов конденсатов в виде упорядоченных сверхрешеток. Показано, что проводимость сэндвич-структуры ITO – КТ PbS–Al преимущественно определяется барьером Шоттки, возникающим на границе пленка КТ PbS/Al-электрод. Вольт-амперная характеристика проанализирована с использованием уравнения Шокли для идеального диода. Обнаружено, что обработка КТ PbS в растворе йодидом калия приводит к улучшению параметра идеальности диода. Сделано заключение, что сэндвич-структуры ITO–КТ PbS–Al-электрод потенциально могут быть использованы как основа для ИК-фотодетекторов на основе КТ.
Разработана методика получения, исследованы структурные и электрофизические свойства сэндвич-структур типа электрод из оксида индия-олова (ITO) – конденсат коллоидных квантовых точек (КТ) PbS–Al-электрод (ITO – КТ PbS – Al). Отличительной особенностью используемых коллоидных КТ PbS является их синтез в воде с применением короткоцепочечного лиганда – молекулы тиогликолевой кислоты (TGA). Такой подход сразу обеспечивает создание проводящей пленки КТ без трудоемкой процедуры замены лиганда. Обнаружено, что обработка КТ PbS в растворе йодидом калия приводит к формированию фрагментов конденсатов в виде упорядоченных сверхрешеток. Показано, что проводимость сэндвич-структуры ITO – КТ PbS–Al преимущественно определяется барьером Шоттки, возникающим на границе пленка КТ PbS/Al-электрод. Вольт-амперная характеристика проанализирована с использованием уравнения Шокли для идеального диода. Обнаружено, что обработка КТ PbS в растворе йодидом калия приводит к улучшению параметра идеальности диода. Сделано заключение, что сэндвич-структуры ITO–КТ PbS–Al-электрод потенциально могут быть использованы как основа для ИК-фотодетекторов на основе КТ.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation