С использованием метода ВЧ-катодного распыления в атмосфере кислорода изготовлена гетероструктура на основе мультиферроика феррита висмута и сегнетоэлектрика ниобата бария-стронция – BiFeO3(1000 нм)/Sr0.5Ba0.5Nb2O6(1000 нм)/Pt(001)/MgO(001), в которой отсутствовали примесные фазы, а среднеквадратичная шероховатость поверхности составляла не более 1% от ее толщины. Установлено, что в гетероструктуре все слои выращены эпитаксиально: SBN-50 получен с формированием ориентационных доменов, развернутых в плоскости сопряжения на ±18.4° относительно осей подложки MgO, а слои BFO и Pt – с ориентацией кристаллографических осей параллельно осям подложки MgO. Показано, что величина сегнетоэлектрической поляризации в материале при U = 90 В составляла 59.3 мкКл/см2, а для описания закономерностей изменения относительной диэлектрической проницаемости (ε) гетероструктуры при t = 25–250°C достаточно учесть зависимости ε(t) для каждого из слоев. Обсуждаются причины выявленных закономерностей.
Методом магнетронного ВЧ-распыления синтезирована тонкая пленка BiFeO с буферным слоем ZnO на подложке лейкосапфира AlO (C-plane). Исследованы структура и механизмы проводимости в тонкой пленке на основе вольтамперных характеристик и зависимостей тока утечки от времени воздействия постоянного напряжения. Показано, что в формировании токов утечки в пленке участвует более одного механизма проводимости. В области слабого электрического поля токи утечки контролируются омической проводимостью, при более сильном приложенном электрическом поле – эмиссией Шоттки или Пула–Френкеля.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation