Изучена широкополосная (1000–1600 нм) ИК-фотолюминесценция поликристаллических образцов корунда (α-Al2O3), содержащих примесные ионы меди, а также дополнительные солегирующие ионы элементов в степени окисления 4+: Si4+, Ge4+, Ti4+, Zr4+, Hf 4+, Sn4+. Показано, что интенсивность ИК-фотолюминесценции корунда при легировании только медью весьма незначительна и резко усиливается при дополнительном легировании некоторыми четырехзарядными катионами. Наибольшее усиление ИК-фотолюминесценции примесных ионов Cu2+ получено при солегировании катионами Ti4+, Ge4+ и Sn4+. По-видимому, эти ионы обеспечивают зарядовую компенсацию при совместном с ионом Cu2+ вхождении в кристаллическую решетку корунда и процесс замещения выглядит так: 2Al3+ → Cu2+ + M4+; M4+ = Ti4+, Ge4+, Sn4+… . Подобным образом вводимые дополнительно в решетку корунда солегирующие четырехзарядные ионы повышают растворимость Cu2+ в α-Al2O3, что ведет к усилению фотолюминесценции соответствующего материала.
Представлен новый удобный и простой низкотемпературный синтез γ-сульфида лантана(III) (γ-La2S3). В расплаве тиоцианата натрия с добавлением небольшого количества KCN при температуре 350°С оксид лантана переходит в чистую кубическую фазу γ-La2S3, что подтверждается методом рентгеновской порошковой дифракции. Описываемый метод несложен в аппаратном оформлении и не требует применения высоких температур и вакуумного оборудования.
В образцах перовскитов LaAlO, легированных медью, обнаружена широкополосная фотолюминесценция в ближнем ИК-диапазоне. Ee источником, по-видимому, является оптически-активный центр, образованный при гетеровалентном замещении катиона Al3 на Cu. Дополнительное введение четырехвалентных катионов Sn, Zr и Hf обеспечивает зарядовую компенсацию гетеровалентного замещения, что приводит к возрастанию интенсивности фотолюминесценции соответствующих солегированных материалов.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation