Статьи автора

СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ МЕТОДА ПОДГОТОВКИ ШИХТЫ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ BiSiO

Номер выпуска 3-4 от 01.04.2025

Проведена промышленная апробация пригодности шихты BiSiO, полученной методом литья, для выращивания монокристаллов BiSiO с высокой оптической однородностью. Применение шихты, синтезированной с помощью метода литья, позволяет существенно снизить количество пор в получаемом монокристалле по сравнению с синтезом напрямую из порошковой смеси. Однако этого недостаточно, чтобы отказаться от второй стадии синтеза — повторного переплава. Несмотря на то что метод литья в разы сокращает время синтеза шихты (по сравнению с уже используемой технологией), отказаться от многостадийного предварительного синтеза на данном этапе исследований не представляется возможным. Требуется доработка технологии и параметров процесса литья с целью уменьшения газовой пористости получаемой шихты.

16 0