Статьи автора

Синтез пленок TiSiN методом реактивного магнетронного распыления при комнатной температуре

Номер выпуска 2 от 14.09.2025

Методом реактивного магнетронного распыления катода смешанного состава TiSi (10%) при комнатной температуре получены образцы TiSiN. Исследование методами рентгенофазового и элементного анализа и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии показало формирование аморфной фазы с включениями нанокристаллов TiN с преобладанием кристаллографической плоскости (200) без включений нитрида кремния. Полученные образцы обладают твердостью до 31 ГПа. Отжиг при 500°С в условиях вакуума в течение 1 ч привел к увеличению степени окристаллизованности пленки без изменения преимущественной ориентации. Исследование дифрактограмм образцов, отожженных на воздухе при температурах 500 и 700°С, продемонстрировало устойчивость полученных пленок TiSiN к окислению при умеренных температурах.

0