В работе исследовано влияние импульсного отжига на кристаллизацию пленок оксида гафния, синтезированных методом атомно-слоевого осаждения. Разработана модель кристаллизации. Эксперимент и моделирование показывают, что механизм кристаллизации достаточно сложный и зависит от температуры. При температурах отжига 600–700 °C кристаллизация носит диффузионный характер: кислород диффундирует в пленку, взаимодействует с вакансиями кислорода и избыточным гафнием, происходит рост нанокристаллов. При более высоких температурах энергия активации процесса кристаллизации возрастает и становится больше энергии активации диффузии кислорода. Предполагается, что в процессе кристаллизации может принимать участие дважды ионизованная вакансия кислорода.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации