Статьи автора

Эффект электрического поля при кристаллизации аморфных пленок TlIn_1–<i>x</i>Sn_<i>x</i>Se₂

Номер выпуска 1 от 14.09.2025

Кинетика кристаллизации аморфных пленок TlIn_1–хSn_xSе₂ толщиной 30 нм, полученных в высоком вакууме термическим осаждением, в постоянном электрическом поле напряженностью Е = 3000 В/см, исследовалась методом кинематической электронографии. Показано, что формирование кристаллической структуры при термообработке аморфных пленок происходит по закономерностям, установленным Авраами–Колмогоровым. По кинетическим кривым фазового превращения прослеживается влияние электрического поля на увеличение диапазона температур кристаллизации пленок, а также на значения энергий активации зародышеобразования и дальнейшего роста кристаллов. Величина суммарной энергии активации процесса кристаллизации оказалась равной Е_общ = 44.92 ккал/моль. Дифракционные линии от поликристаллической пленки TlIn_0.93Sn_0.07Sе₂ на кинематической электронограмме индицируются на основе параметров тетрагональной ячейки а = b = 0.8358, с = 0.7086 нм, соответствующих пр. гр. \( D_{{4h}}^{{18}} \)–I4/mcm. При нахождении пленок в вакууме при комнатной температуре более двух месяцев не обнаружено изменений ни в их качестве, ни в дифракционной картине.

6 0