Статьи автора

Исследование термического расширения наноструктурированных материалов на основе PbTe и GeTe

от 01.01.2025

Дилатометрическим методом проведены исследования теплового расширения наноструктурированных термоэлектрических материалов (ТЭМ), полученных искровым плазменным спеканием нанодисперсного порошка из синтезированныхPbTe(0.3 мас.%PbI₂и 0.3 мас.%Ni)n-типа и GeTe(7.2 мас.%Bi)p-типа. Плотность полученных ТЭМ составила97–98% от плотности синтезированных материалов. Установлено, что термический коэффициент линейного расширения (ТКЛР)PbTeс ростом температуры увеличивается с 20.14 × 10^–6К^–1при 550 К до 23.07 × 10^–6К^–1при 900 К. ТКЛРGeTeс ростом температуры падает от 13.94 × 10^–6К^–1при 550 К до 11.93 × 10^–6К^–1при 675 К, затем растет до 24.47 × 10^–6К^–1при 900 К. Проведено сравнение ТКЛР наноструктурированных материалов и материалов, полученных традиционными методами. При температурах от 300 до 750 К значения ТКЛРPbTe и GeTe различаются на 15–40%, что может приводить к разрушению термоэлементов.

26 0

К 75-летию академика РАН Солнцева Константина Александровича

от 01.01.2025

24 0

К статье Н. Э. Дубинин “Эффективное парное взаимодействие Виллса–Харрисона в жидких меди и серебре”, опубликованной в № 1, 2020, т. 56, с. 12–15. doi: 10.31857/S0002337X19120029

от 01.01.2025

23 0

ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕРМИЧЕСКОГО РАСШИРЕНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ PbTe И GeTe

Номер выпуска 1-2 от 01.01.2025

Дилатометрическим методом проведены исследования теплового расширения наноструктурированных термоэлектрических материалов (ТЭМ), полученных искровым плазменным спеканием нанодисперсного порошка из синтезированных PbTe (0.3 мас.% PbI2 и 0.3 мас.% Ni) -типа и GeTe (7.2 мас.% Bi) -типа. Плотность полученных ТЭМ составила 97-98% от плотности синтезированных материалов. Установлено, что термический коэффициент линейного расширения (ТКЛР) PbTe с ростом температуры увеличивается с 20.14 × 10 К при 550 К до 23.07 × 10 К при 900 К. ТКЛР GeTe с ростом температуры падает от 13.94 × 10 К при 550 К до 11.93 × 10 К при 675 К, затем растет до 24.47 × 10 К при 900 К. Проведено сравнение ТКЛР наноструктурированных материалов и материалов, полученных традиционными методами. При температурах от 300 до 750 К значения ТКЛР PbTe и GeTe различаются на 15-40%, что может приводить к разрушению термоэлементов.

13 0