By this author

Investigation of Thermal Expansion of Nanostructured Materials Based on PbTe and GeTe

from 01.01.2025

Дилатометрическим методом проведены исследования теплового расширения наноструктурированных термоэлектрических материалов (ТЭМ), полученных искровым плазменным спеканием нанодисперсного порошка из синтезированныхPbTe(0.3 мас.%PbI₂и 0.3 мас.%Ni)n-типа и GeTe(7.2 мас.%Bi)p-типа. Плотность полученных ТЭМ составила97–98% от плотности синтезированных материалов. Установлено, что термический коэффициент линейного расширения (ТКЛР)PbTeс ростом температуры увеличивается с 20.14 × 10^–6К^–1при 550 К до 23.07 × 10^–6К^–1при 900 К. ТКЛРGeTeс ростом температуры падает от 13.94 × 10^–6К^–1при 550 К до 11.93 × 10^–6К^–1при 675 К, затем растет до 24.47 × 10^–6К^–1при 900 К. Проведено сравнение ТКЛР наноструктурированных материалов и материалов, полученных традиционными методами. При температурах от 300 до 750 К значения ТКЛРPbTe и GeTe различаются на 15–40%, что может приводить к разрушению термоэлементов.

26 0

К 75-летию академика РАН Солнцева Константина Александровича

from 01.01.2025

24 0

К статье Н. Э. Дубинин “Эффективное парное взаимодействие Виллса–Харрисона в жидких меди и серебре”, опубликованной в № 1, 2020, т. 56, с. 12–15. doi: 10.31857/S0002337X19120029

from 01.01.2025

23 0

ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕРМИЧЕСКОГО РАСШИРЕНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ PbTe И GeTe

Issue number 1-2 from 01.01.2025

Дилатометрическим методом проведены исследования теплового расширения наноструктурированных термоэлектрических материалов (ТЭМ), полученных искровым плазменным спеканием нанодисперсного порошка из синтезированных PbTe (0.3 мас.% PbI2 и 0.3 мас.% Ni) -типа и GeTe (7.2 мас.% Bi) -типа. Плотность полученных ТЭМ составила 97-98% от плотности синтезированных материалов. Установлено, что термический коэффициент линейного расширения (ТКЛР) PbTe с ростом температуры увеличивается с 20.14 × 10 К при 550 К до 23.07 × 10 К при 900 К. ТКЛР GeTe с ростом температуры падает от 13.94 × 10 К при 550 К до 11.93 × 10 К при 675 К, затем растет до 24.47 × 10 К при 900 К. Проведено сравнение ТКЛР наноструктурированных материалов и материалов, полученных традиционными методами. При температурах от 300 до 750 К значения ТКЛР PbTe и GeTe различаются на 15-40%, что может приводить к разрушению термоэлементов.

13 0