By this author

Leakage currents in BiFeO₃/ZnO composite film on sapphire

from 01.03.2025

Методом магнетронного ВЧ-распыления синтезирована тонкая пленка BiFeO3 с буферным слоем ZnO на подложке лейкосапфира Al2O3 (C-plane). Исследованы структура и механизмы проводимости в тонкой пленке на основе вольтамперных характеристик и зависимостей тока утечки от времени воздействия постоянного напряжения. Показано, что в формировании токов утечки в пленке участвует более одного механизма проводимости. В области слабого электрического поля токи утечки контролируются омической проводимостью, при более сильном приложенном электрическом поле – эмиссией Шоттки или Пула–Френкеля.

16 0

ТОКИ УТЕЧКИ В КОМПОЗИТНОЙ ПЛЕНКЕ BiFeO/ZnO НА САПФИРЕ

Issue number 3-4 from 01.05.2025

Методом магнетронного ВЧ-распыления синтезирована тонкая пленка BiFeO с буферным слоем ZnO на подложке лейкосапфира AlO (C-plane). Исследованы структура и механизмы проводимости в тонкой пленке на основе вольтамперных характеристик и зависимостей тока утечки от времени воздействия постоянного напряжения. Показано, что в формировании токов утечки в пленке участвует более одного механизма проводимости. В области слабого электрического поля токи утечки контролируются омической проводимостью, при более сильном приложенном электрическом поле – эмиссией Шоттки или Пула–Френкеля.

20 0