By this author

Deposition of CdTe Epitaxial Layers on GaAs Substrates Using Dimethyl Cadmium and Methylallyl Tellurium

Issue number 11-12 from 10.06.2025

Изучено влияние условий осаждения на скорость роста, кристаллическое совершенство, морфологию поверхности и концентрацию ростовых дефектов эпитаксиальных слоев CdTe, полученных методом MOCVD на подложках GaAs (310), (100), (111)B из диметилкадмия и метилаллилтеллура (МАТ). Скорость роста слоев CdTe в изученных условиях изменялась от 0.6 до 2.0 мкм/ч, а кажущаяся энергия активации процесса роста при 300–350°С лежала в диапазоне 45.2–54.0 кДж/моль. Сделано предположение, что лимитирующей осаждение в этом интервале температур является стадия адсорбции реагентов (в первую очередь МАТ) на поверхности. Наилучшим кристаллическим совершенством обладали слои CdTe (100), выращенные при 300–350°C. Наиболее гладкую и зеркальную поверхность имели слои CdTe (100) и (111)B, выращенные при температурах 330–350 и 330–370°С соответственно. Установлены условия получения слоев CdTe (100) с концентрацией ростовых дефектов (размером 10–20 мкм) на поверхности не более 150 см.

25 0