Выращены монокристаллы PbTe, SnTe, Pb0.75Sn0.25Te, исследованы их электропроводность и коэффициент термо-ЭДС в интервале 90–300 К до и после отжига. Показано, что значения, характер температурной зависимости, а также тип проводимости неотожженных кристаллов PbTe, Pb0.75Sn0.25Te определяются в основном структурными несовершенствами, возникающими при выращивании и изготовлении образцов и залечивающихся отжигом. Электрические параметры неотожженных и отожженных кристаллов SnTe определяются в основном акцепторными вакансиями в подрешетке олова с концентрацией 1020–1021 см–3.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации