Представлены результаты исследования временной динамики интенсивности фотолюминесценции квантовых точек теллурида кадмия, покрытых оболочкой диоксида кремния, при непрерывном оптическом облучении. Установлены как минимум два механизма, оказывающих влияние на излучение квантовых точек CdTe/SiO2. Обнаружено, что на ранних стадиях эксперимента наблюдается увеличение интенсивности люминесценции квантовых точек CdTe/SiO2, а на поздней стадии облучения начинает преобладать фотодеградация люминесценции. Первый механизм, связанный с фотоусилением, обусловлен пассивацией поверхностных дефектов молекулами воды и уменьшением количества центров безызлучательной рекомбинации, а второй механизм, связанный с фотодеградацией, объясняется фотоокислением ядра CdTe под действием кислорода.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации