Статьи автора

Влияние легирования празеодимом на кристаллическую структуру и край оптического поглощения соединения TlGaS₂

Номер выпуска 7 от 01.07.2024

Выращены монокристаллы твердых растворов на основе слоистого полупроводникового соединения TlGaS₂ с добавлением до 2 мол. % редкоземельного элемента празеодима, получены их дифрактограммы. Исследован край оптического поглощения твердых растворов TlGaS₂ в температурном интервале 100–200 К. Изучена температурная зависимость положения краевого экситонного пика для всех составов TlGaS₂.

44 0