Статьи автора

Термические свойства особо чистых стекол Ga15Ge10Te75–xIx

Номер выпуска 4 от 01.04.2024

Получены образцы особо чистых стекол Ga₁₅Ge₁₀Te_75–xI_x (x = 0–6 ат. %) с содержанием 31 примесного элемента не более 0.2 ppm. Установлено влияние йода на характеристические температуры, кристаллизационную устойчивость, термическое расширение и плотность стекол. Полученные результаты интерпретированы в рамках структурно-связевого подхода. Разработана методика обработки данных динамической дилатометрии для определения температурной зависимости теплового коэффициента линейного расширения (ТКЛР). Определена температурная зависимость ТКЛР стекол Ga₁₅Ge₁₀Te_75–xI_x в интервале от 293 до 412 К.

77 0

Синтез ZnGa₂Se₄ взаимодействием GaI₃ и ZnI₂ с селеном

Номер выпуска 6 от 01.06.2024

Проведено термодинамическое моделирование систем GaI₃–Se и ZnI₂–Se методом констант равновесия в температурном интервале 200–500°С. Показано, что равновесная степень превращения йодидов в Ga₂Se₃ и ZnSe составляет 21 и 0.7٪ соответственно. Основным компонентом паровой фазы в обеих системах является молекулярный йод. Разработан способ получения Ga₂Se₃, ZnSe, ZnGa₂Se₄ взаимодействием GaI₃ и ZnI₂ с селеном в вакуумированном кварцевом реакторе с двумя температурными зонами. Селективное выведение йода из реакционного расплава позволило достичь практического выхода селенидов на уровне 86–90٪ при температуре 450°С. Остаточное содержание йода в полученных соединениях составило 0.2–1 ат.%.

56 0