Статьи автора

Влияние состава многокомпонентных твердых растворов (TlInS2)1–x (TlGaSe2)х на их электрические свойства

Номер выпуска 4 от 01.04.2024

Синтезированы тройные соединения TlInS₂ и TlGaSe₂, а также твердые растворы (TlInS₂)_1-х (TlGaSe₂)_х (х = 0.1, 0.2, 0.4). Методом рентгенофазового анализа определен фазовый состав и параметры решетки образцов этих составов, выращенных методом направленной кристаллизации. При комнатной температуре образцы имели слоистую структуру и моноклинную сингонию с пр. гр. С_2ℎ⁶(С2/с). Установлены закономерности в изменениях свойств с изменением состава образцов. В монокристаллических образцах твердых растворов на основе TlInS₂ изучены частотные зависимости действительной (ε^׳) и мнимой (ε″) составляющих комплексной диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь (tgδ) и проводимости в переменных электрических полях (σ_ac) поперек слоев кристаллов. Измерения диэлектрических свойств образцов проводили резонансным методом в области частот переменного электрического поля f = 5 × 10⁴–3.5 × 10⁷ Гц. Наблюдаемый гиперболический спад tgδ с ростом частоты свидетельствует о том, что в изученных твердых растворах имеют место потери на проводимость. Установлен прыжковый механизм переноса носителей заряда в (TlInS₂)_1-х(TlGaSe₂)_х и определены параметры локализованных состояний в запрещенной зоне образцов: плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми (N_F = 5.8 × 10¹⁸ – 1.9 × 10¹⁹ эВ^-1см^-3), средние значения времени ( τ = 2 × 10^-7 с ) и расстояния прыжков (R = 86 Å), а также энергетический разброс локализованных состояний в окрестности уровня Ферми (∆E = 47 мэВ). Установлено, что изученные параметры (εʹ, εʺ, tgδ и σ_ac) монокристаллов (TlInS₂)_1-х(TlGaSe₂)_х (х = 0.1, 0.2, 0.4) увеличиваются с ростом содержания TlGaSe₂.

56 0