Статьи автора

Получение, структурные и электрофизические исследования керамических образцов твердых растворов со структурой перовскита (1 – 2<i>x</i>)BiScO₃∙(2 – <i>y</i>)<i>x</i>PbTiO₃∙<i>yx</i>PbMg_1/3Nb_2/3O₃

Номер выпуска 12 от 01.12.2023

На синтезированных керамических образцах разрезов (1 – 2x)BiScO₃·(2 – y)xPbTiO₃∙yxPbMg_1/3Nb_2/3O₃ с y = 1.2, 1.0, 0.9 и 0.5 тройной системы BiScO₃–PbTiO₃–PbMg_1/3Nb_2/3O₃ (BS–PT–PMN) проведены рентгенодифракционные, диэлектрические и пьезоэлектрические исследования, а также изучены токи термостимулированной деполяризации. Установлено, что образцы при (1 – 2x) ≲ 0.5 представляют собой твердые растворы со структурой перовскита, их симметрия с ростом содержания BS повышается от тетрагональной до кубической, в промежуточной области составов (морфотропной области – МО) образцы состоят из смеси твердых растворов разной симметрии. Определены границы МО, получены данные об изменении диэлектрических и пьезоэлектрических свойств твердых растворов с изменением их состава.

29 0

Предел растворимости и микроструктура редкоземельных элементов в монокристаллах и керамических твердых растворах (La_1−xR_x)₃Ga₅SiO₁₄ (R = Gd–Ho)

Номер выпуска 6 от 01.06.2024

Методами рентгенофазового анализа и аналитической электронной микроскопии изучены образцы монокристаллов и керамических твердых растворов (La_1−xR_x)₃Ga₅SiO₁₄ с R = Gd–Ho в диапазоне 0 ≤ х ≤ 0.4 (по исходной шихте) с целью определения предела растворимости редкоземельных элементов в структуре лангасита. Твердые растворы на основе структуры лангасита преобладают вплоть до максимальных концентраций, однако при x ≥ 0.15 в случае Но и x ≥ 0.2 в случае Tb начинают выпадать примесные фазы со структурами граната R₃Ga₅O₁₂ и типа La₂SiO₅. Монокристаллы лангаситов с замещением La на Tb, Dy или Ho до х = 0.05, а Gd до х = 0.2 имеют однородную структуру, однако при х > 0.1 в кристаллах (La_1−xTb_x)₃Ga₅SiO₁₄ возникают вкрапления паразитных фаз с указанными выше структурами. Кривые намагничивания кристаллов (La_1−xR_x)₃Ga₅SiO₁₄ (R=Ho и Tb), измеренные при 1.85–2 К, проявляют сильную магнитокристаллическую анизотропию, причем магнитный момент, рассчитанный на ион R³⁺, оказывается приблизительно одинаковым для всех изученных концентраций тяжелого редкоземельного элемента. Исследованы температурно-частотные зависимости диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь керамических образцов (La_1−xHo_x)₃Ga₅SiO₁₄ (x ≤ 0.2) и (La_1−xTb_x)₃Ga₅SiO₁₄ (x ≤ 0.3) в диапазоне T = 77–700 К при частотах f = 1 кГц–1 МГц. Обнаружена релаксация дебаевского типа с энергией активации около 2 эВ.

36 0