By this author

Luminescence of Thioglycolic Acid-Passivated PbS Quantum Dots in the Presence of Potassium Iodide

Issue number 10 from 01.10.2023

В работе обсуждаются закономерности ИК-люминесценции для коллоидных квантовых точек PbS со средним размером 3 нм, покрытых молекулами тиогликолевой кислоты (КТ PbS/TGA). Обнаружено, что обработка КТ PbS/TGA раствором KI приводит к коротковолновому смещению максимума сложной полосы люминесценции при 1120 нм к 1060 нм, увеличению квантового выхода ее коротковолновой компоненты, связанной с экситонным свечением с 1 до 10% и тушению длинноволновой компоненты, связанной с излучательной рекомбинацией на уровнях дефектов. При этом кубическая кристаллическая структура PbS не претерпевает изменений. Установлено также незначительное уменьшение среднего размера КТ PbS/TGA – на 0.2–0.3 нм. Сделан вывод о том, что рост квантового выхода экситонного свечения КТ PbS/TGA при воздействии KI обусловлен более эффективной пассивацией интерфейсных дефектов, являющихся каналами как рекомбинационной люминесценции, так и безызлучательной рекомбинации носителей заряда. Методом термостимулированной люминесценции в диапазоне температур от 80 до 350 K показано существование двух типов мелких локализованных состояний с глубинами 0.17 и 0.25 эВ, концентрация которых слабо чувствительна к обработке КТ PbS/TGA раствором KI. Предполагается, что часть регистрируемых ловушек обусловлена не оборванными связями поверхностных атомов свинца и серы, а собственными дефектами нанокристалла – межузельными ионами свинца или серы.

44 0

Временная динамика экситонной и рекомбинационной люминесценции квантовых точек CdTe/SiO₂ (ядро/оболочка)

Issue number 7 from 01.07.2024

Представлены результаты исследования временной динамики интенсивности фотолюминесценции квантовых точек теллурида кадмия, покрытых оболочкой диоксида кремния, при непрерывном оптическом облучении. Установлены как минимум два механизма, оказывающих влияние на излучение квантовых точек CdTe/SiO₂. Обнаружено, что на ранних стадиях эксперимента наблюдается увеличение интенсивности люминесценции квантовых точек CdTe/SiO₂, а на поздней стадии облучения начинает преобладать фотодеградация люминесценции. Первый механизм, связанный с фотоусилением, обусловлен пассивацией поверхностных дефектов молекулами воды и уменьшением количества центров безызлучательной рекомбинации, а второй механизм, связанный с фотодеградацией, объясняется фотоокислением ядра CdTe под действием кислорода.

31 0