Статьи автора

Исследование структурных и электронных свойств SmGaGe₂O₇ методами из первых принципов

Номер выпуска 1 от 24.12.2025

Впервые исследованы кристаллическая структура и электронное строение самарий-галлиевого дигерманата SmGaGe₂O₇ квантово-механическими методами из первых принципов. Полученные в рамках обобщенного градиентного приближения параметры решетки и позиции ионов в ней согласуются с экспериментальными данными. Установлено, что материал является непрямозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны 2.45 эВ. Валентная зона сформирована p-состояниями атомов кислорода с незначительным вкладом других состояний остальных атомов. Зона проводимости сформирована s- и p-состояниями атомов галлия и германия с небольшим вкладом p-состояний атомов кислорода, а также d-состояний атомов самария, проявляющихся на высоте от ≈1 эВ от дна зоны. Показано существование носителей заряда с различающимися эффективными массами.

80 0