- PII
- 10.31857/S0002337X24070025-1
- DOI
- 10.31857/S0002337X24070025
- Publication type
- Article
- Status
- Published
- Authors
- Volume/ Edition
- Volume 60 / Issue number 7
- Pages
- 797-802
- Abstract
- Неорганические материалы, Влияние легирования празеодимом на кристаллическую структуру и край оптического поглощения соединения TlGaS2
- Keywords
- Date of publication
- 15.07.2024
- Year of publication
- 2024
- Number of purchasers
- 0
- Views
- 18
References
- 1. Panich A.M. Electronic Properties and Phase Transitions in Low-Dimensional Semiconductors // J. Phys.: Condens. Matter. 2008. V. 20. № 6. Р. 3–31. https://doi.org/10.1088/0953-8984/20/29/293202
- 2. Guseinov S.G., Guseinov G.D., Gasanov N.Z., Kyazimov S.B. Special Features of Exciton Absorption Spectra of А3В3X62-Type Layer Semiconductor Crystals // Phys. Status Solidi B. 1986. V. 133. № 1. K25–K30.
- 3. Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Керимова Э.М., Гасанов Н.З. Диэлектрические и оптические свойства монокристаллов TlGa1–xErxS2 (х = 0, 0.001, 0.005 и 0.01) // Неорган. материалы. 2013. Т. 49. № 12. С. 1271–1276. https://doi.org/10.7868/S0002337X13120129
- 4. Горбань И.С., Охрименко О.Б. Параметры экситонного поглощения в кристалле TlGaS2 // ФТТ. 2001. T. 43. Вып. 11. C. 1963–1965.
- 5. Qasrawi A.F., Gasanly N.M. Optoelectronic and Electrical Properties of TlGaS2 Single Crystal // Phys. Status Solidi A. 2005. V. 202. № 13. P. 2501–2507. https://doi.org/10.1002/pssa.200521190
- 6. Panich A.M., Sardarly R.M. Physical Properties of the Low Dimensional A3B6 and A3B3C62 Compounds. N. Y.: Nova Science, 2010. 287 p.
- 7. Isaacs T.J., Hopkins R.H. Crystal Growth, Symmetry and Physical Properties of Thallium Gallium Disulfide, TlGaS2 // J. Cryst. Growth. Lett. Ed. 1975. V. 29. P. 121–122.
- 8. Керимова Э.М., Гасанов Н.З. Кристаллофизика сложных полупроводников на основе соединений типа TlBIIIC2VI, включающих редкоземельные элементы и переходные металлы // Изв. НАН Азербайджана. Физика и астрономия. 2017. № 2. C. 12–26.
- 9. Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Гусейнова С.С., Джабаров А.И., Лукичев В.Ф. Электронные, диэлектрические свойства и перенос заряда в монокристалле TlGaS2: Nd3+ на постоянном и переменном токе // ФТТ. 2022. Т. 64. № 4. С. 428–436. https://doi.org/10.21883/FTT.2022.04.52182.251
- 10. Abdullaeva S.G., Belenkii G.L., Mamedov N.T. Near Band – Edge Optical Properties of TlGaS2xSe2(1–x) Mixed Crystals // Phys. Status Solidi B. 1980. V. 102. № 1. P. k19–k22.
- 11. Керимова Э.М. Кристаллофизика низкоразмерных халькогенидов. Баку: Элм, 2012. 708 с.
- 12. Абдуллаева С.Г., Абдуллаев Н.А., Беленький Г.Л., Мамедов Н.Т., Сулейманов Р.А. Температурный сдвиг экситонной полосы и деформационные эффекты в слоистых кристаллах TlGaS2 // ФТП. 1983. T. 17. Bып. 11. C. 2068–2070.
- 13. Беленький Г.Л., Салаев Э.Ю., Сулейманов Р.А. Деформационные явления в слоистых кристаллах // УФН. 1988. Т. 155. № 1. С. 89–127.
- 14. Allakhverdiyev K.R., Mammadov T.G., Suleymanov R.A., Gasanov N.Z. Deformation Effects in Electronic Spectra of the Layered Semiconductors TlGaS2, TlGaSe2 and TlInS2 // J. Phys.: Condens. Matter. 2003. V. 15. P. 1291–1298. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/15/8/313
- 15. Шелег А.У., Шевцова В.В., Гуртовой В.Г., Мустафаева С.Н., Керимова Э.М. Низкотемпературные рентгенографические исследования монокристаллов TlInS2, TlGaS2 и TlGaSe2 // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2013. № 11. C. 39–42.
- 16. Kerimova E.M., Gasanov N.Z., Seidov F.M. Some Physical Properties of the TlGaSe2-TlTmSe2 System // Scientific Collections of National Academy of Aviation of Azerbaijan. 2018. V. 20. № 4. P. 51–53.
- 17. Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Керимова Э.М., Гасанов Н.З. Диэлектрические и оптические свойства монокристаллов TlGa1–xErxS2 (х = 0, 0.001, 0.005, 0.01) // Неорган. материалы. 2013. Т. 49. № 12. С. 1271–1276. https://doi.org/10.7868/s0002337x13120129
